摘要：本研究旨在构建精准高效的关键指标检测技术体系。通过系统优化样品前处理工艺与电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）检测条件，采用硝酸-盐酸混合酸梯度消解技术结合氦气碰撞池模式，并引入基质匹配-内标法校正基体效应，建立了多元素同步检测方法。实验结果表明，该方法可有效解决多原子离子干扰问题，实现Fe、Cr及多种杂质元素的同步精准测定，检测性能满足工业生产中电解液质量控制的高精度、精准化需求。铁铬电解液作为电化学工业领域的核心功能材料，其Fe、Cr主含量及Cu、Ni等杂质元素的精准控制，直接决定着电化学产品的性能稳定性与使用寿命。传统检测方法普遍存在基体干扰严重、检测周期长、检出限不足等局限，难以适配现代化生产的高效质控需求，现有检测体系的稳定性与准确性亟待提升。基于此，本研究聚焦电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）技术的针对性优化应用，通过样品前处理工艺与仪器监测参数的系统性改进，构建完全适

摘要：为适应建筑用钢市场发展需求，通过铌钒复合微合金化设计与控轧控冷工艺优化，结合微合金元素热力学行为研究及相变动力学研究，对试制钢筋的性能、组织进行检验分析。结果表明，试制钢筋具有良好的性能及组织。0 引言全球地震高发区建筑面积占比超60%，传统335MPa级钢筋难以满足高层建筑抗震需求。欧美日已普及500MPa级以上钢筋[1-2]。我国“十二五”发展规划中已明确提出要“适应减量化用钢趋势，升级热轧螺纹钢标准，重点发展400MPa及以上高强度螺纹钢筋、抗震钢筋”[3]，针对高强钢筋依赖进口、成本高的问题，通过成分优化与工艺创新，开发经济型600MPa级抗震钢筋，推动建筑减碳与钢铁工业升级。1 成分设计与强化机理1.1 产品要求成分设计的依据是产品所要求的性能及各化学元素对综合机械性能的影响。HRB600E主要的力学性能指标如表1所示。1.2 化学成分设计铌和钒具有很强的析出强化作用，通过

摘要：本研究聚焦于高纯医用钽粉的制备，对氢化脱氢工艺的工艺参数进行优化，并对所得钽粉的性能进行系统表征。结果表明，工艺优化后有效提升了钽粉的纯度和综合性能，满足了医疗领域对高纯钽材料的严格要求，研究对医用钽粉的制备提供了重要参考。0 引言高纯医用钽粉凭借其优异的耐蚀性良好生物兼容性，以及出色力学性能在医疗设备和外科植入物等高端医疗领域得到了广泛应用。随着医学技术的发展其需求急剧增长，且材料的纯度与性能直接影响产品的安全性和实用性，全球高纯医用钽市场规模快速扩张，对制备工艺提出更高要求需稳定且保证每批产品性能一致。传统制备技术像电解法以及真空熔炼法存在着杂质难以除尽，工艺复杂之类的缺点对高品质钽粉大批量稳定生产形成阻碍，氢化脱氢法作为一种高效的提纯手段，具有改进工艺参数和提升纯度的潜力，然而对其工艺参数的影响及优化机制的研究还不够全面。本文要对氢化脱氢工艺参数予以改进，探究其对钽粉性能产生的

摘要：以喷雾造粒制备的MoNbTaW粉末为原料，通过射频等离子体制备球形MoNbTaW难熔高熵合金粉末，研究了球化功率、载气流量、鞘气成分对粉末球化率的影响。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光粒度分析仪、霍尔流速计和纳米压痕测试系统分别对球化处理前后的粉末形貌、物相、粒度、流动性和显微硬度进行了测试和分析。结果表明：球磨后粉末未发生合金化，球化后粉末完全转变为体心立方相；等离子体功率由32kW增大到40kW，球化率提高，接近100%；载气流量由1L/min增加到4L/min，球化粉末表面纳米颗粒减少，更加光滑，球化率接近100%，而继续增加到7L/min，粉末出现未熔颗粒；在鞘气中添加氢气有助于提高球化率。球化处理后，粉末粒度分布变窄，振实密度由2.00g/cm3提高到8.33g/cm3，松装密度从1.43g/cm3提升到7.24g/cm3，霍尔流速（50g计）由50.8s提升至8.5

摘要:从热处理角度出发，系统阐述了常规热处理(退火)、表面热处理(激光熔覆)、化学热处理(渗碳、渗氮、渗金属)及特殊热处理(真空热处理、等离子热处理、热喷涂后处理)等热处理工艺对高熵合金力学性能、耐磨性、耐蚀性等性能的影响，并展望了未来高熵合金的热处理工艺研究方向。传统合金一般根据组成元素的数目被称为二元合金、三元合金和多元合金，或者根据主要元素名称而命名［1］。近几十年来，发现通过调制材料的“序”或者“熵”，也能获得所需的新型材料［2］。高熵合金(High entropy alloys，HEAs)是由多种主元共同组成的新型金属材料，通常由5种或以上主元构成，每种主元占比为5%～35%。具有特殊的组织结构，因而呈现出诸多优于传统合金的独特性能［3-4］。HEAs在不同形态下，元素之间的作用力也会发生改变。例如，铸态高熵合金硬度较高、耐磨性好，近些年的研究发现某些块状高熵合金金属玻璃的抗拉强

摘要:在半导体工业中钼表现出很多优点，总结了3种钼前驱体(六氟化钼、二氯二氧化钼及六羰基钼)的理化性质、制备工艺及应用方向。1 引言金属钼单质具有熔点高、热膨胀系数低、体电阻率低、平均自由程短、易于应力控制、结合能高，以及与低ĸ值的电介质粘附力强等等诸多优点，在半导体工业———集成电路(包括3D NAND、DRAM及先进逻辑)的芯片制程中发挥着越来越重要的作用。一般地，金属钼通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的方式构建各种集成电路。然而，具有高熔点(2623℃)及高沸点(4639℃)的纯钼难以直接沉积，需借助前驱体气化，然后分解成单质钼以进行沉积。六氟化钼(MoF6)、二氯二氧化钼(MoO2Cl2)和六羰基钼［Mo(CO)6］均具有沸点低、分解可控等优点，是目前用于沉积的优秀前驱体。2 MoF6的制备和应用2.1 MoF6的理化性质MoF6分子量209.94，熔点17.5℃,